Festkörperprobleme : In Referaten der Fachausschusses "Halbleiter" der Deutsche Physikalischen Gesellschaft = Advances in Solid State Physics. Band 9, In Referaten des Fachausschusses „Halbleiterphysik” der Deutschen Physikalischen Gesellschaft München, 19. bis 22. März 1969 zugleich Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE: „Forschung auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente” München, 24. bis 27 /
Festkörperprobleme : In Referaten der Fachausschusses "Halbleiter" der Deutsche Physikalischen Gesellschaft = Advances in Solid State Physics. Band 9, In Referaten des Fachausschusses „Halbleiterphysik” der Deutschen Physikalischen Gesellschaft München, 19. bis 22. März 1969 zugleich Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE: „Forschung auf dem Gebiet der Halbleiterbauelemente” München, 24. bis 27 /
hrsg. von O. Madelung.
- Reprint 2021
- 1 online resource (402 p.) : 278 Abbildungen
- Festkörperprobleme ; Band 9 .
Frontmatter -- Vorwort -- Contents / Inhaltsverzeichnis -- Teil I. Referate des Fachausschusses „Halbleiter" / Part I. Plenary Lectures of the Professional Group "Semiconductor Physics" -- Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern -- Charge transport in non-crystalline semiconductors -- Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern -- Light Scattering in Semiconductors -- Der Jahn-Teller-Effekt -- Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern -- Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern -- Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions -- Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern -- Teil II. Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE / Part II. Invited Papers of the European Meeting of the IEEE -- Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave Devices -- Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren -- The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices -- Computer Device Modeling -- Monolithische Speicher -- Thyristoren für hohe Spannungen -- Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen
restricted access http://purl.org/coar/access_right/c_16ec
Mode of access: Internet via World Wide Web.
In German.
9783112528792 9783112528808
10.1515/9783112528808 doi
SCIENCE / Physics / Condensed Matter.
Frontmatter -- Vorwort -- Contents / Inhaltsverzeichnis -- Teil I. Referate des Fachausschusses „Halbleiter" / Part I. Plenary Lectures of the Professional Group "Semiconductor Physics" -- Struktur und Bindungsverhältnisse in amorphen Halbleitern -- Charge transport in non-crystalline semiconductors -- Optische und elektrische Eigenschaften von amorphen Halbleitern -- Light Scattering in Semiconductors -- Der Jahn-Teller-Effekt -- Elektrische Instabilitäten in Halb- und Photoleitern -- Über die Physik des Lawinendurchbruches in Halbleitern -- Analytic Properties of Thermodynamic Functions and Phase Transitions -- Die elektronische Bandstruktur in äußeren Magnetfeldern -- Teil II. Hauptvorträge der Europäischen Tagung des IEEE / Part II. Invited Papers of the European Meeting of the IEEE -- Physical Properties of Transferred-Electron and Avalanche Microwave Devices -- Neue Ergebnisse an MIS-Transistoren -- The Application of Ion Implantation to Semiconductor Devices -- Computer Device Modeling -- Monolithische Speicher -- Thyristoren für hohe Spannungen -- Moderne Verfahren zur Herstellung von Masken für Halbleiterschaltungen
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Mode of access: Internet via World Wide Web.
In German.
9783112528792 9783112528808
10.1515/9783112528808 doi
SCIENCE / Physics / Condensed Matter.