Frontmatter -- Berichtigungszettel -- Vorwort zur zweiten Auflage -- Aus dem Vorwort zur ersten Auflage -- Inhaltsverzeichnis -- 1. Kristallstruktur und Symmetrien -- 1.1. Translationsgruppe -- 1.2. Punktgruppe -- 1.3. Fraktionelle Translationen -- 1.4. Beispiel: fcc-Gitter -- 2. Elektron im idealen Kristallpotential -- 2.1. Kristallpotential -- 2.2. Symmetrieoperatoren -- 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren -- 2.4. Blochsches Theorem -- 2.5. Energiebänder -- 2.6. Periodische Randbedingung -- 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte -- 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz -- 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen -- 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur -- 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials -- 3.2. Eigenwertproblem und Entvricklungsfunktionen -- 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen -- 3.4. Bindungs-Orbital-Modell -- 3.5. Enturicklung nach ebenen Wellen -- 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen -- 3.7. Pseudopotential -- 3.8. k 10_log_2024-10-18.log 2check.txt TEMPFILES c0.tmp c1.tmp c10.tmp c2.tmp c3.tmp c4.tmp c5.tmp c6.tmp c7.tmp c8.tmp c9.tmp pdw_contributors_2024-10-18.tmp pdw_doi_checks_2024-10-18.tmp pdw_full_crawl_2024-10-18.tmp pdw_tocs_2024-10-18.tmp p-Methode -- 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential -- 4. Störstellen -- 4.1. Charakterisierung von Stör stellen -- 4.2. Effektivmassennäherung -- 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen -- 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht -- 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern -- 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen -- 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials -- 6. Bornsche Gitterdynamik -- 6.1. Schwingungszweige. Phononen -- 6.2. Phononen kleiner w- Vektoren -- 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld -- 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor -- 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen -- 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes -- 8. Elektronische optische Eigenschaften -- 8.1. Dielektrischer Tensor -- 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors -- 8.3. Interbandübergänge -- 8.4. Plasmahereich -- 8.5. Exzitonen -- 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential -- 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials -- 9.2. Bindungsladungsmodell -- 9.3. Modellpotential -- 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik -- 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen -- 10.2. Dynamische Matrix -- 10.3. Effektiver Ladungstensor -- 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur -- 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion -- 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung -- 11.1. Wechselivirkungsoperator -- 11.2. Deformationspotential -- 11.3. Elektron-Phonon-Streuung -- 12. Boltzmann-Gleichung -- 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung -- 13.1. Relaxationszeit -- 13.2. Ellipsoidische Energieflächen -- 13.3. Kohlersches Variationsverfahren -- 14. Elektrische Leitfähigkeit -- 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen -- 14.2. Deformationspotential-Streuung -- 14.3. Polare Streuung -- 14.4. Drude-Formel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen -- 15. Galvanomagnetische Eifekte -- 15.1. Jones-Zener-Lösung -- 15.2. Hall-Effekt -- 15.3. Magnetowiderstand -- Appendix 1 -- Appendix 2 -- Appendix 3 -- Appendix 4 -- Appendix 5 -- Appendix 6 -- Appendix 7 -- Appendix 8 -- Appendix 9 -- Appendix 10 -- Literatur -- Verzeichnis der wichtigsten Symbole -- Sachverzeichnis -- Backmatter

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