TY  - BOOK
AU  - Brauer,Wolfram
AU  - Streitwolf,Hans-Waldemar
TI  - Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik
T2  - Wissenschaftliche Taschenbücher
SN  - 9783112648452
U1  - 530 15/eng/20230216
PY  - 2022///]
CY  - Berlin, Boston
PB  - De Gruyter
KW  - Bandstruktur
KW  - Elektronendynamik
KW  - Elektronenleitung
KW  - Elektronenstruktur
KW  - Festkörperphysik
KW  - Halbleiterphysik
KW  - Kristallstruktur
KW  - Ladungsträgerbewegung
KW  - Quantenmechanik
KW  - Theoretische Physik
KW  - SCIENCE / Physics / Condensed Matter
KW  - bisacsh
N1  - Frontmatter --; Berichtigungszettel --; Vorwort zur zweiten Auflage --; Aus dem Vorwort zur ersten Auflage --; Inhaltsverzeichnis --; 1. Kristallstruktur und Symmetrien --; 1.1. Translationsgruppe --; 1.2. Punktgruppe --; 1.3. Fraktionelle Translationen --; 1.4. Beispiel: fcc-Gitter --; 2. Elektron im idealen Kristallpotential --; 2.1. Kristallpotential --; 2.2. Symmetrieoperatoren --; 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren --; 2.4. Blochsches Theorem --; 2.5. Energiebänder --; 2.6. Periodische Randbedingung --; 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte --; 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz --; 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen --; 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur --; 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials --; 3.2. Eigenwertproblem und Entvricklungsfunktionen --; 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen --; 3.4. Bindungs-Orbital-Modell --; 3.5. Enturicklung nach ebenen Wellen --; 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen --; 3.7. Pseudopotential --; 3.8. k 10_log_2024-10-18.log 2check.txt TEMPFILES c0.tmp c1.tmp c10.tmp c2.tmp c3.tmp c4.tmp c5.tmp c6.tmp c7.tmp c8.tmp c9.tmp pdw_contributors_2024-10-18.tmp pdw_doi_checks_2024-10-18.tmp pdw_full_crawl_2024-10-18.tmp pdw_tocs_2024-10-18.tmp p-Methode --; 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential --; 4. Störstellen --; 4.1. Charakterisierung von Stör stellen --; 4.2. Effektivmassennäherung --; 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen --; 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht --; 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern --; 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen --; 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials --; 6. Bornsche Gitterdynamik --; 6.1. Schwingungszweige. Phononen --; 6.2. Phononen kleiner w- Vektoren --; 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld --; 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor --; 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen --; 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes --; 8. Elektronische optische Eigenschaften --; 8.1. Dielektrischer Tensor --; 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors --; 8.3. Interbandübergänge --; 8.4. Plasmahereich --; 8.5. Exzitonen --; 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential --; 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials --; 9.2. Bindungsladungsmodell --; 9.3. Modellpotential --; 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik --; 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen --; 10.2. Dynamische Matrix --; 10.3. Effektiver Ladungstensor --; 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur --; 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion --; 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung --; 11.1. Wechselivirkungsoperator --; 11.2. Deformationspotential --; 11.3. Elektron-Phonon-Streuung --; 12. Boltzmann-Gleichung --; 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung --; 13.1. Relaxationszeit --; 13.2. Ellipsoidische Energieflächen --; 13.3. Kohlersches Variationsverfahren --; 14. Elektrische Leitfähigkeit --; 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen --; 14.2. Deformationspotential-Streuung --; 14.3. Polare Streuung --; 14.4. Drude-Formel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen --; 15. Galvanomagnetische Eifekte --; 15.1. Jones-Zener-Lösung --; 15.2. Hall-Effekt --; 15.3. Magnetowiderstand --; Appendix 1 --; Appendix 2 --; Appendix 3 --; Appendix 4 --; Appendix 5 --; Appendix 6 --; Appendix 7 --; Appendix 8 --; Appendix 9 --; Appendix 10 --; Literatur --; Verzeichnis der wichtigsten Symbole --; Sachverzeichnis --; Backmatter; restricted access; Issued also in print
UR  - https://doi.org/10.1515/9783112648469
UR  - https://www.degruyter.com/isbn/9783112648469
UR  - https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112648469/original
ER  -