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TI  - Kristall und Technik: [Fortsetzung: Crystal Research and Technology]
T2  - Kristall und Technik
SN  - 9783112653616
AV  - QD901 .W358 2022
U1  - 548.05 23
PY  - 2022///]
CY  - Berlin, Boston
PB  - De Gruyter
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N1  - Frontmatter --; Hinweise für die Autoren --; Inhalt --; Originalbeiträge --; Stability of Faceted Growth Forms From Melts and in the Presence of Impurities --; Zum Mechanismus der Kristallisation von Na2B4O7 aus eigener Schmelze --; Influence of Supersaturation on the Kinetics of Crystallisation of ZnC2O4 • 2 H2O --; Effect of Substrate Orientation on Growth Rate and Doping Level of Vapour Grown GaAs. Interval (111)A—(100)—(111)B --; Dynamic Crystallization of II—VI Compounds with a Gaseous Control of Vapour Concentrations --; Preparation and some Properties of Synthetic Proustite Single Crystals --; Single Crystal Synthesis and Properties of Lithium-Gallium-, Lithium-Alumininm-Oxide and Mixed Compounds (I) Growing of LiGaO2-, LiAlO2- and LiAlxGa 1-x.Crystals from Fluxes --; Wachstumsformen von tetragonalen Erdalkaliwolframaten in Schmelzlösungen und deren Deutung --; The Change of the Lattice Constant in Heteroepitaxial Silver Films with Increase of Thickness --; Impulsbelastung von NaCl- und LiF-Einkristallen mit durch Unterwasserdrahtexplosion erzeugten Stoßwellen --; Kurze Orginalmitteilungen --; Der Verteilungskoeffizient von Mangan bei der Kristallisation von Silberchlorid aus der Schmelze --; Nachweis der Adsorption von Tensiden an Alkalihalogenid-Spaltflächen mit Hilfe der elektronenmikroskopischen Autoradiographie --; Effect of Some Impurities on the Dissolution of NaHCO 3 --; Buchbesprechung --; Plasma Effects in Semiconductors: Helicon and Alfvén Waves --; Crystal Growth in Gels; restricted access; Issued also in print
UR  - https://doi.org/10.1515/9783112653623
UR  - https://www.degruyter.com/isbn/9783112653623
UR  - https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112653623/original
ER  -