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245	0	0	_aHalbleiter und Phosphore : _bVorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 "Halbleiter und Phosphore" in Garmisch-Partenkirchen / _chrsg. von M Schön, H. Welker.
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505	0	0	_tFrontmatter -- _tVorwort -- _tInhaltsverzeichnis -- _tGeleitwort -- _tGrowth and Defects of Semiconductor Crystals -- _tThe Incorporation of Foreign Atoms in Crystalline solids -- _tChemismus der Leuchtzentrenbildung in II-VI-Verbindungen -- _tSome Statistical Problems in Semiconductors -- _tEnergiefragen beim Einbau von Fremdionen in Ionenkristalle -- _tMethods for Determination of Distribution of Surface States in Ge and Si -- _tPhoto-Electro-Magnetic and Magnetic Barrier Layer Effects -- _tIrradiation of Semiconductors -- _tBeeinflussung von Leuchtstoffen durch energiereiche Strahlung -- _tMagnetische Suszeptibilität von Halbleitern -- _tThermoelektrische und thermomagnetische Effekte in Halbleitern -- _tThe Role of Low-Frequency Phonons in Thermoelectricity and Thermal Conduction -- _tThe Effects of Elastic Strain on the Conductivity of Homopolar Semiconductors -- _tElektrolumineszenz von suspendierten Sulfidphosphoren -- _tA Review of Non-Sulphide Phosphors -- _tInvestigation of Energy Transfer in Liquid Organic Systems -- _tDer nicht-elektronische Energietransport in Phosphoren -- _tElektronen- und Ionenprozesse in Silberhalogenidkristallen -- _tZener-Effekt und Stoßionisation -- _tSurface Effects on the Diffusion of Impurities in Semiconductors -- _tSur la Technique de Tirage des Monocristaux de Germanium n-p-n -- _tMesures en Fonction de la Température du Courant dans les Jonctions de Germanium n-p -- _tTrap Concentrations in Germanium, their Determination from Lifetime Measurements and the Relation to a Practical Breakdown Voltage in p-n Junction Rectifiers -- _tDer Einfluß von schnellen α-Teilchen auf die Eigenschaften von Silizium p-n-Photoelementen -- _tp-n-Übergänge aus InP zum Nachweis von Neutronenstrahlung -- _tParamagnetic Resonance in Single Crystals of SiC Doped with N, P, B or Al -- _tInfrared Cyclotron Resonance and Magneto-optical Band Gap Effects in InSb -- _tZur Temperaturabhängigkeit der p-Absorptionsbanden in Germanium -- _tHall and Conductivity Mobilities in p-Type Silicon -- _tÜber den Hochtemperatur-Leitungsmechanismus thermisch Elektronen emittierender Oxyde -- _tZur Temperaturabhängigkeit der Trägerlebensdauer in hochreinem Silizium -- _tThe Lifetime of Charge Carriers in PbS -- _tThe Carrier Trapping due to the Dislocations in Polar and Nonpolar Semiconductors -- _tThe Trapping Centers of Electrons in Glass -- _tDrift of Minority Carriers in the Presence of Trapping -- _tMeasurement of Minority Carrier Lifetime by the Phase Shift of Photoconductivity -- _tResonance Potentials in Thin Films of Potassium Chloride -- _tMechanismus der Lumineszenz von Silberhalogeniden und Versetzungen -- _tZur Driftbeweglichkeit von Elektronen in Silberchlorid -- _tFehlordnungseigenschaften am Silberjodid -- _tHole Motion in Anthracene Crystals -- _tExperimenteller Beitrag zum Energieübertragungsmechanismus in Polystyrolphosphoren -- _tZur Frage der Energieübertragung in organischen Krislallen -- _tDie magnetische Widerstandsänderung von Germanium im Temperaturbereich von 10 bis 20 °K -- _tThe Galvanomagnetic Effects in the Germanium-Silicon Alloys -- _tMagnetoresistance Effects in Gallium Arsenide -- _tMagnetoresistance and Hall Effect Studies in Graphite -- _tZur Theorie der longitudinalen Widerstandsänderung in konvalenten Halbleitern -- _tRelationship of Hardness, Energy Gap and Melting Point of Diamond Type and Related Structures -- _tDie elektrischen Eigenschaften von HgIn2Te4 -- _tÜber neue halbleitende Verbindungen mit Chalkopyritstruktur -- _tSome Physical Properties of Bismuth Telluride -- _tGeneration of Imperfections by Thermal Stress -- _tEffect of Orbital Quantization on Magneto Conductivity in Semiconductors -- _tÜber die Entstehung von elektromotorischen Kräften in Halbleitern -- _tDie magnetische Suszeptibilität von eisen-dotiertem Germanium -- _tThe Interaction of Electrons and Phonons in Semiconductor Transport Phenomena -- _tWärmeleitfähigkeit von InSb -- _tThe Spectrum of the Photoconductive and Photomagnetic Effects in Semiconductors -- _tZur Plasmatheorie elektronischer Halbleiter -- _tElektronenoptische Untersuchungen spezieller Kristallisationserscheinungen des Selens -- _tDie Dotierung von Indiumarsenid mit den Metallen der ersten Nebengruppe des periodischen Systems -- _tOptical Properties of Pure and Doped SiC -- _tElectrical Properties of Hexagonal SiC Doped with N, B or Al -- _tHydrogen as a Donor in Zinc Oxide -- _tDiffusion von Aktivatoren in lumineszierendem Zinksulfid -- _tÜber den Effekt der Kathodothermolumineszenz -- _tÜber die Nichtexistenz einer Anregungsschwelle der Elektrolumineszenz -- _tPhoton Emission from Breakdown in Silicon -- _tRadiation Resulting from the Recombination of Holes and Electrons in Silicon -- _tRecent Investigations on the Electroluminescence of Gallium Phosphide -- _tProbleme der p-n-Elektrolumineszenz im sichtbaren Spektralbereich -- _tAbsorption Dipolaire Debye de l'Oxyde de Zinc, du Selenium et du Carbure de Silicium -- _tAbsorption Photodipolaire du Sulfure de Zinc -- _tSpectres d'absorption et d'émission attribués à l'exciton -- _tSur la nature de l'émission fluorescente de CdS pur à très basse température -- _tTheorie stationärer und nichtstationärer Zustände des Exzitons im polaren Kristall -- _tApplication de l'Effet Photodiélectrique à l'Etude des Pièges à Electrons -- _tAnodic Oxide Formation on Silicon -- _tJunctions Induced in Germanium Surfaces by Transverse Electric Fields -- _tTransfer of Material from Radioactive Point Contacts on Germanium -- _tÜber den Einfluß von Gasen und Dämpfen auf die Photoleitung und die Dunkelleitung dünner Bleiselenidschichten -- _tVerzögerte Elektronenemission von Germanium -- _tDie Elektronenemission bei der Oxydation von Metalloberflächen -- _tOn Thermal Transition Process of Electrons in Solids -- _tBerechnung der Gitterschwingungen in Kristallen mit Zinkblendestruktur -- _tÄußere Tilgung, Aktivatorenwechselwirkung und Wanderung der Löcher in den ZnSCu- und ZnSCuCo-Phosphoren -- _tFluoreszenz und Photoleitfähigkeit in Zink-Kadmium-Sulfiden aktiviert mit Silber -- _tFacteurs Extincteurs de la Fluorescence de CdS(Ag) -- _tTheory of Dynamic Quenching of Photoconductivity and Luminescence -- _tOptische Anisotropie und Verhalten von Cadmiumsulfid- Einkristallen in Hochfrequenz-Feldern -- _tSiliziumleistungsgleichrichter -- _tElektrische Eigenschaften einiger binärer Halbleiterverbindungen -- _tÜber den Durchschlag in p-n-Übergängen in Germanium -- _tA Note on the Energy Gaps of Semiconductors -- _tDie Diffusion der Beimengungen im Silizium -- _tDie relaxationsmäßige Dielektrikapolarisation und das innere Feld in Kristallen und Polykristallen -- _tDetermination of Surface States in PbS Crystals -- _tGlasartige Halbleiter
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