000 04073nam a22008895i 4500
001 280218
003 IT-RoAPU
005 20250106152105.0
006 m|||||o||d||||||||
007 cr || ||||||||
008 241019t20221972gw fo d z ger d
020 _a9783112653753
_qprint
020 _a9783112653760
_qPDF
024 7 _a10.1515/9783112653760
_2doi
035 _a(DE-B1597)9783112653760
035 _a(DE-B1597)629987
035 _a(OCoLC)1347247009
040 _aDE-B1597
_beng
_cDE-B1597
_erda
072 7 _aSCI013060
_2bisacsh
082 0 4 _82p
_a530.411
_qDE-101
084 _aonline - DeGruyter
245 0 0 _aKristall und Technik :
_b[Fortsetzung: Crystal Research and Technology].
_nBand 7, Heft 8.
250 _aReprint 2022
264 1 _aBerlin ;
_aBoston :
_bDe Gruyter,
_c[2022]
264 4 _c1972
300 _a1 online resource (124 p.)
336 _atext
_btxt
_2rdacontent
337 _acomputer
_bc
_2rdamedia
338 _aonline resource
_bcr
_2rdacarrier
347 _atext file
_bPDF
_2rda
490 0 _aKristall und Technik ;
_vBand 7, Heft 8
505 0 0 _tFrontmatter --
_tHinweise für die Autoren --
_tInhalt --
_tÜbersichten --
_tEinige Ergebnisse und weitere Aussichten der Nutzung von Einkristallen für die Informationsspeicherung und -Verarbeitung --
_tZiehapparate für die Einkristallzüchtung --
_tZur Tracht-Habitus-Modifizierung von Halbleiterkristallen --
_tOriginalbeiträge --
_tStudy on the Growth of Triglycinsulphate Single Crystals --
_tÜber P.B.C.-Vektoren und ihre Bedeutung für das Kristallwachstum, speziell beim Silicium --
_tÜber die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si-Einkristallen großer Durchmesser --
_tThe Process of Formation of Epitaxial Cadmium and Zinc Oxide Films by Interaction of Single-Crystal AIIBVI Layers with Oxygen --
_tZur Bestimmung des effektiven Verteilungskoeffizienten von Te bei der Züchtung von GaP-Einkristallen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen --
_tPhysikalische Eigenschaften von nach einer modifizierten Kyropoulos-Methode gezüchteten NaCl- und KCl-Kristallen --
_tDie Domänenstruktur von Gadoliniummolybdat (GMO) --
_tAluminiumoxid für technische Anwendungen
506 0 _arestricted access
_uhttp://purl.org/coar/access_right/c_16ec
_fonline access with authorization
_2star
530 _aIssued also in print.
538 _aMode of access: Internet via World Wide Web.
546 _aIn German.
588 0 _aDescription based on online resource; title from PDF title page (publisher's Web site, viewed 19. Oct 2024)
650 4 _aKristallchemie.
650 4 _aKristallographie.
650 4 _aKristallwachstum.
650 4 _aRöntgenbeugung.
650 4 _aSpektroskopie.
650 4 _aStruktuanalyse.
650 4 _akristalline Materialien.
650 4 _aphysikalische Chemie.
650 7 _aSCIENCE / Chemistry / Industrial & Technical.
_2bisacsh
700 1 _aAleskovsky, V. B.
_eautore
700 1 _aBarta, C.
_eautore
700 1 _aBarta, Č.
_eautore
700 1 _aBöhm, J.
_eautore
700 1 _aCharlamov, I. A.
_eautore
700 1 _aClauss, D.
_eautore
700 1 _aEhlers, R.
_eautore
700 1 _aGeil, W.
_eautore
700 1 _aHoff, F.
_eautore
700 1 _aKazannikova, T. P.
_eautore
700 1 _aKürsten, H. D.
_eautore
700 1 _aLebek, A.
_eautore
700 1 _aLiŠka, O.
_eautore
700 1 _aLébl, M.
_eautore
700 1 _aMoravec, F.
_eautore
700 1 _aNovotný, J.
_eautore
700 1 _aRyttnauer, E.
_eautore
700 1 _aSchmugge, K.
_eautore
700 1 _aSchreckenbach, M.
_eautore
700 1 _aSergeyeva, L. A.
_eautore
700 1 _aStroitelev, S. A.
_eautore
700 1 _aStádník, B.
_eautore
700 1 _aSuszyńnska, M.
_eautore
700 1 _aZemlička, J.
_eautore
700 1 _aŽemlička, J.
_eautore
850 _aIT-RoAPU
856 4 0 _uhttps://doi.org/10.1515/9783112653760
856 4 0 _uhttps://www.degruyter.com/isbn/9783112653760
856 4 2 _3Cover
_uhttps://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112653760/original
942 _cEB
999 _c280218
_d280218